唐灵芝，女，博士，硕士研究生导师，2023年博士毕业于大连理工大学。参与国家级项目2项，省部级项目4余项。合计发表SCI检索论文5篇，会议论文2篇，其中Advanced Electronic Materials（二区TOP, IF:18.808）1篇，ACS Applied Materials & Interfaces（一区，IF:9.229）2篇，Journal of Materials Chemistry C （二区TOP ,IF:7.393）1篇，Frontiers in Nanotechnology长篇英文综述1篇。目前授权发明专利3项。
一、主要研究方向
忆阻器感存算一体化；神经元计算；伤害感受器；卤素钙钛矿阻变存储器
二、主要科研成果
参与项目
[1] 国家自然科学基金项目（11904043）：卤素钙钛矿阻变存储器的超快阻变行 为及其机理研究，2020.01-2022.12，主要完成人
[2] 高校理科基础科研专题：忆阻器模拟开关特性的皮秒调制，2019.01-2020.12，主要完成人
代表性论著与学术奖励
（1） Lingzhi Tang, Yang Huang, Chen Wang, Flexible threshold switching selectors with ultrahigh endurance based on halide perovskites[J]. Advanced Electronic Materials, 2022, 8(2): 2270009.
（2） Lingzhi Tang, Yang Huang, Chen Wang, Halide perovskite memristor with ultra-high-speed and robust flexibility for artificial neuron applications[J]. Journal of Materials Chemistry C. 2022, 10, 14695–14702.
（3） Lingzhi Tang, Jiaan Wang, Yang Huang, Low Pawer and Flexible Halide Perovskite-Based Threshold Switching Memristor for Artificial Nociceptors. Journal of Materials Chemistry C. 2023, Minor revision.
（4） Yang Huang, Lingzhi Tang, Chen Wang*, Hongbo Fan, Zhenxuan Zhao, Huaqiang Wu, Min Xu, Rensheng Shen, Yiming Yang, and Jiming Bian*, “Triple-cation perovskite resistive switching memory with enhanced endurance and retention”, ACS Applied Electronic Materials, 2020, 2(11):3695-3703.
（5）2021年第23届全国半导体物理学术会议High mechanical performance flexible memristors and selectors based on solution-processed halide perovskite film，西安，（最佳海报奖）唐灵芝，黄阳，王晨*
（6）2020 IEEE 15th International conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT 2020). “Switching characteristics and simulated iodine vacancies distribution of halide perovskite RRAM.” （EI检索）口头报告. Sun Yuhan, Huang Yang, Lingzhi Tang, Chen Wang *
专利
（1）唐灵芝；王晨；黄阳；杨一鸣；边继明，一种高开关次数的柔性选通器及其制备方法，中国，发明类别：发明专利，专利申请号：CN202110154048.8。（已授权）
（2）选通器及其制备方法，2021106800388（申请中），王晨、张卫、唐灵芝、黄阳。
（3）双向阈值对称的选通器及其制备方法，2021106778219（申请中），王晨、张卫、唐灵芝、黄阳。
三、联系方式
Email：002857@hgu.edu.cn
TEL：15614300506
